半導(dǎo)體設(shè)備、材料與半導(dǎo)體工藝相輔相成，相互制約，“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”，半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體是晶圓制造商獲取制程技術(shù)的關(guān)鍵,是半導(dǎo)體制造工藝的核心。減薄機主要用于材料段晶圓表面加工以及在集成電路封裝前。減薄機通過研磨對晶圓背面基體材料進行去除，以滿足芯片封裝厚度尺寸和表面粗糙度的要求，并提高芯片的散熱效果，減薄到一定厚度有利于后期的封裝工藝。從中國市場來看，我國晶圓減薄機行業(yè)起步時間較晚，長期以來，國內(nèi)市場一直由國際領(lǐng)先企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)，國產(chǎn)化程度較低。但近年來，在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移趨勢不斷加深背景下，本土企業(yè)正積極加大晶圓減薄機研發(fā)力度。隨著本土企業(yè)研發(fā)進程不斷加快，國內(nèi)晶圓減薄機市場國產(chǎn)化率正不斷提升，行業(yè)展現(xiàn)出良好發(fā)展趨勢。但國產(chǎn)晶圓減薄機與國際領(lǐng)先企業(yè)相比，在技術(shù)、性能、加工精度等方面仍有較大差距，未來本土企業(yè)還需持續(xù)加大研發(fā)力度。

2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”將于長沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所聯(lián)合組織籌辦。論壇將圍繞 “碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，湖南大學(xué)無錫半導(dǎo)體先進制造創(chuàng)新中心執(zhí)行院長尹韶輝將出席論壇并帶來《碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢》的主題報告，分享最新發(fā)展趨勢。

嘉賓簡介

尹韶輝，湖南大學(xué)二級教授、博士生導(dǎo)師、岳麓學(xué)者、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才?，F(xiàn)任湖南大學(xué)無錫半導(dǎo)體先進制造創(chuàng)新中心執(zhí)行院長、湖南省先進復(fù)合制造國際科技創(chuàng)新合作基地主任。長期從事超精密加工與微納制造、半導(dǎo)體及非球面光學(xué)納米精度制造工藝與裝備等領(lǐng)域的科研工作。擔(dān)任國家863計劃、國家科技重大專項、國家重點研發(fā)項目、國家自科基金重點項目負(fù)責(zé)人及首席科學(xué)家，先后主持國家級項目10多項，出版專著6部，發(fā)表論文260余篇，特邀報告60多次，授權(quán)專利46項。榮獲省部級科技獎勵8項。多項科技成果在產(chǎn)業(yè)界廣泛應(yīng)用，取得良好社會經(jīng)濟效益。

更多論壇信息

 組織機構(gòu)

指導(dǎo)單位

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

主辦單位

極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(m.jycsgw.cn)

承辦單位

中國電子科技集團公司第四十八研究所

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

協(xié)辦單位

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

中車時代電氣股份有限公司

中南大學(xué)

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贊助支持

湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

瀏陽泰科天潤半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

寧波恒普真空科技股份有限公司

蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

忱芯科技（上海）有限公司

蘇州博宏源機械制造有限公司

江蘇晶工半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

蘇州德龍激光股份有限公司

北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司

布魯克（北京）科技有限公司

山東海金石墨科技有限公司

湖南德智新材料有限公司

浙江凱威碳材料有限公司

哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司

浙江飛越機電有限公司

中電科風(fēng)華信息裝備股份有限公司

吉永商事株式會社

鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司

北京媯水科技有限公司

昂坤視覺（北京）科技有限公司

山西中電科新能源技術(shù)有限公司

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主題方向

1、宏觀趨勢與產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

·碳化硅全球發(fā)展趨勢、現(xiàn)狀及應(yīng)用前景；

·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策分析、產(chǎn)業(yè)需求研判；

·國產(chǎn)裝備現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展痛點及未來展望；

·資金、人才、技術(shù)、市場等關(guān)鍵要素分析；

2、技術(shù)方向與產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)

·碳化硅晶體生長、加工工藝及相關(guān)裝備技術(shù)；

·外延材料生長、芯片制造等核心工藝技術(shù)及裝備

·封裝材料、工藝及裝備技術(shù)；

·氮化鎵、氧化鎵等新型半導(dǎo)體材料、工藝和裝備；

3、產(chǎn)業(yè)配套及供應(yīng)鏈

·襯底、外延、器件等設(shè)計軟件及檢測裝備；

·石墨/涂層/清洗/特氣等配套材料、工藝裝備協(xié)同優(yōu)化；

·產(chǎn)品性能/良率/可靠性等要素分析與改進；

·生產(chǎn)流程控制、工藝優(yōu)化與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新；

4、規(guī)模應(yīng)用與市場探索

·車用碳化硅/氮化鎵器件技術(shù)進展；

·碳化硅功率器件技術(shù)進展及應(yīng)用前景；

·產(chǎn)業(yè)化進展及裝備需求；

·市場動力、核心競爭力塑造與面臨挑戰(zhàn)。

時間地點

2023年5月5-7日

湖南·長沙·圣爵菲斯大酒店

日程安排(具體報告陸續(xù)更新中)

開幕大會日程安排

時間		主要安排
5月5日	09:00-13:00	報到&資料領(lǐng)取
	13:30-17:30	開幕大會+圓桌對話
	18:00-21:00	歡迎晚宴
5月6日	09:00-12:00	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	12:00-13:30	午餐&交流
	13:30-17:30	分論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)	分論壇2：氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體
	18:30-20:30	晚餐&結(jié)束
5月7日	09:00-12:00	商務(wù)考察活動&返程 （中國電子科技集團公司第四十八研究所或泰科天潤或湖南三安半導(dǎo)體）
備注：僅供參考，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。

平行論壇1：

備注：目前報告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請關(guān)注！

平行論壇1：碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)

時間：第二天 • 5月6日 • 09:00-12:00,14:00-17:30

主題：SiC MOS器件可靠性制造技術(shù)及裝備 嘉賓：王德君--大連理工大學(xué)教授

主題：國產(chǎn)化碳化硅注入機發(fā)展情況 嘉賓：羅才旺--北京爍科中科信電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題：SiC MOSFET器件及其應(yīng)用研究的思路和探索 嘉賓：王俊--湖南大學(xué)超大功率半導(dǎo)體研究中心主任，教授

主題：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局 嘉賓：湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司

主題：適配xEV動力域控制器的SIC電機控制器 嘉賓：陳文杰--陽光動力電控研發(fā)中心總監(jiān)

主題：碳化硅器件與水冷散熱器的低溫直連技術(shù)探索 嘉賓：梅云輝--天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院 院長

主題：SIC晶圓全制程質(zhì)量控制解決方案 嘉賓：鄒偉金--蘇州高視半導(dǎo)體技術(shù)有限公司副總經(jīng)理

主題：碳化硅長晶爐石墨熱場結(jié)構(gòu)的國產(chǎn)化探索 嘉賓：趙麗麗--哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司董事長

主題：碳化硅功率半導(dǎo)體模塊精準(zhǔn)動靜態(tài)特性與可靠性測試解決方案 嘉賓：陸 熙--忱芯科技技術(shù)總監(jiān)

主題：碳化硅外延核心技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用 嘉賓：孔令沂--杭州海乾半導(dǎo)體有限公司董事長

主題：碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案 嘉賓：劉國敬--北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理

主題：碳化硅晶圓減薄裝備技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 嘉賓：尹韶輝--湖南大學(xué)教授

主題：大規(guī)模量產(chǎn)型碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進展（TBD） 嘉賓：方子文--AIXTRON SE中國區(qū)副總經(jīng)理

主題：碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用挑戰(zhàn) 嘉賓：TBD

主題：碳化硅單晶用碳化鉭技術(shù)（TBD） 嘉賓：寧波恒普真空科技股份有限公司

主題：先進拋光技術(shù)助力量產(chǎn)型大尺寸碳化硅制造 嘉賓：孫占帥--北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司工藝部部長

主題：半導(dǎo)體設(shè)備用SiC部件材料開發(fā)及應(yīng)用 嘉賓：余盛杰--湖南德智新材料有限公司CTO

主題：碳化硅同質(zhì)外延層厚度無損紅外反射光譜法測試分析 嘉賓：雷浩東--布魯克（北京）科技有限公司應(yīng)用工程師

備注：以上報告順序不分先后，最終日程將持續(xù)更新，敬請關(guān)注！

 

備注：平行論壇日程安排正在逐一敲定中，后續(xù)每日將持續(xù)更新！

擬參會單位

山東天岳，天科合達，河北同光，山西爍科晶體，南砂晶圓，東莞天域，英飛凌，安森美， 瀚天天成，瞻芯電子，清純半導(dǎo)體，蔚來汽車，中南大學(xué)，湖南大學(xué)，基本半導(dǎo)體，士蘭微，高意半導(dǎo)體，中科院半導(dǎo)體所，中科院物理所，武漢大學(xué)，武漢理工大學(xué)，國防科技大學(xué)，AIXTRON SE, 中電科四十六所，中電科二所，中電科十三所，中電科五十五所，晶越半導(dǎo)體，小鵬汽車，山東大學(xué)，理想汽車，長安汽車、超芯星，中電化合物，世紀(jì)金光，浙江大學(xué)，西安交通大學(xué)，復(fù)旦大學(xué)、海乾半導(dǎo)體、富士電機、三菱電機.....

更多報主題安排

平行論壇報告主題安排

1.第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)

2.第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考

3.碳化硅器件制造關(guān)鍵裝備及國產(chǎn)化進展

4.SiC器件和模塊的最新進展

5.第三代半導(dǎo)體材料外延生長裝備現(xiàn)狀及展望

6.碳化硅涂層石墨盤技術(shù)

7.8英寸碳化硅單晶進展

8.國產(chǎn)MBE 設(shè)備進展

9.SiC襯底制備技術(shù)現(xiàn)狀、趨勢及工藝研究

10.SiC電力電子器件制造及其典型裝備需求

11.SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備研發(fā)

12.SiC MOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計

13.激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化進展

14.先進碳化坦涂層技術(shù)

15.車用碳化硅技術(shù)進展

16.銀燒結(jié)設(shè)備技術(shù)

17.SiC高溫?zé)崽幚碓O(shè)備及工藝應(yīng)用

18.激光退火技術(shù)

19.SiC外延裝備及技術(shù)進展

20.碳化硅離子注入設(shè)備技術(shù)

21.SiC晶體生長、加工技術(shù)和裝備

22.拋光裝備國產(chǎn)化之路

23.8寸碳化硅外延制備技術(shù)

24.8寸碳化硅襯底技術(shù)進展

25.第三代半導(dǎo)體材料生長裝備與工藝自動化

26.化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案

27.GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

28.Si襯底GaN基功率電子材料及器件的研究

29.GaN晶片的光電化學(xué)機械拋光加工

30.第三代半導(dǎo)體材料加工設(shè)備及其智能化

31.激光技術(shù)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

32.碳化硅單晶生長用石墨技術(shù)

33.碳化硅/氧化鎵等缺陷檢測

34.碳化硅基氮化鎵HEMT技術(shù)

35.金剛石半導(dǎo)體技術(shù)

36.碳化硅半導(dǎo)體功率器件測試方案

37.碳化硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進展及裝備需求

38.光隔離探頭測試技術(shù)

39.電子特氣在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用

40.金剛石單晶生長技術(shù)

41.SiC單晶制備與裝備研發(fā)進展

42.半導(dǎo)體電子特氣國產(chǎn)化進展

43.半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備國產(chǎn)化進展

44.碳化硅IGBT 技術(shù)進展及應(yīng)用前景

45.車用氮化鎵器件技術(shù)進展

46.第三代半導(dǎo)體二手設(shè)備市場現(xiàn)狀與存在問題

47.硅基氮化鎵MOCVD設(shè)備技術(shù)進展及趨勢

48.氧化鎵單晶/襯底外延及功率器件技術(shù)

備注：以上部分報告主題僅供參考，報告嘉賓正陸續(xù)確認(rèn)中，后續(xù)將集中公布。

注冊報名：

1、注冊費2500元，4月29日前注冊報名2200元（含會議資料袋，5月5日歡迎晚宴、5月6日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。

2、交通費、住宿費等自理。

展覽展示

為促進產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)充分展示交流，組委會開辟出少量展示席位，數(shù)量有限，預(yù)訂從速。詳情可咨詢會議聯(lián)系人。

繳費方式

1、通過銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司

2、線上注冊繳費

備注：在線注冊平臺注冊請務(wù)必填寫正確，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。

3、現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

4、收款單位：本屆論壇指定“北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司”作為會議唯一收款單位。

報告及論文發(fā)表聯(lián)系：

Frank 賈：18310277858，jiaxl@casmita.com

會議報名/參展/贊助咨詢：

賈先生：18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士：13681329411，zhangww@casmita.com

張先生：18601159985，zhangtk@casmita.com

協(xié)議酒店：

會議酒店： 長沙圣爵菲斯大酒店

酒店地址：湖南省長沙市開福區(qū)三一大道471號

協(xié)議房價：

·五星酒店房間：大/ 雙 床房 含雙早  468元/晚

·三星酒店房間：大/雙 床房 含雙早  258元/晚

（備注：三星酒店單獨用餐區(qū)用早餐，不能享用酒店健身房和游泳池，具體可咨詢酒店聯(lián)系人）

預(yù)訂聯(lián)系人：李子都 圣爵菲斯大酒店營銷經(jīng)理

電話:14726987349

郵箱:136379346@qq.com