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SiC供需缺口較大,天岳先進(jìn):已與英飛凌、博世集團(tuán)等加強(qiáng)合作

日期:2023-07-05 閱讀:348
核心提示:據(jù)悉,日前,碳化硅襯底廠商天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù),已與國際半導(dǎo)體知名企業(yè)
據(jù)悉,日前,碳化硅襯底廠商天岳先進(jìn)在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù),已與國際半導(dǎo)體知名企業(yè)加強(qiáng)合作,包括英飛凌、博世集團(tuán)等全球知名企業(yè)。
 
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能,在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
 
天岳先進(jìn)認(rèn)為,SiC半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展進(jìn)入快車道,特別是在高壓高功率領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)更加凸顯,新的應(yīng)用場(chǎng)景不斷涌現(xiàn)。在市場(chǎng)需求爆發(fā)的背景下,SiC的供需缺口也較大。
 
天岳先進(jìn)表示,公司持續(xù)加大研發(fā)力度,在晶體生長(zhǎng)和缺陷控制等核心技術(shù)領(lǐng)域展開密集的試驗(yàn),不斷突破技術(shù)瓶頸,提高產(chǎn)品良率。 
 
天岳先進(jìn)通過液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場(chǎng)、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題。公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù)。
 
一方面公司同時(shí)能夠大批量供應(yīng)高品質(zhì)導(dǎo)電型襯底和半決緣襯底,另一方面公司在晶體厚度、晶體尺寸上也持續(xù)實(shí)現(xiàn)快速的技術(shù)進(jìn)步。 
 
天岳先進(jìn)稱,目前下游市場(chǎng)對(duì)碳化硅襯底需求呈現(xiàn)出持續(xù)旺盛的趨勢(shì),公司上海臨港工廠也進(jìn)入了產(chǎn)品交付階段,獲得市場(chǎng)快速發(fā)展的機(jī)遇。公司將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,提高產(chǎn)品品質(zhì)和良率,為行業(yè)提供最高品質(zhì)的襯底產(chǎn)品。
 
同時(shí),天岳先進(jìn)透露,公司已與國際半導(dǎo)體知名企業(yè)加強(qiáng)合作,包括與國際功率半導(dǎo)體知名企業(yè)英飛凌、以及汽車電子領(lǐng)域知名企業(yè)博世集團(tuán)等全球知名企業(yè)都開展了合作。公司產(chǎn)品品質(zhì)獲得了國內(nèi)外客戶的高度認(rèn)可,訂單交付持續(xù)快速攀升。 
 
此前5月,天岳先進(jìn)與英飛凌共同宣布雙方簽訂了一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體的高質(zhì)量并且有競(jìng)爭(zhēng)力的6英寸碳化硅襯底和晶棒。
 
第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料,但天岳先進(jìn)也將助力英飛凌向8英寸碳化硅晶圓過渡。據(jù)悉,天岳先進(jìn)的供應(yīng)量預(yù)計(jì)將占到英飛凌長(zhǎng)期需求量的兩位數(shù)份額。
 
同時(shí),天岳先進(jìn)還與博世集團(tuán)與簽署了戰(zhàn)略合作長(zhǎng)期協(xié)議,以鎖定芯片制造關(guān)鍵材料碳化硅襯底的需求。
 
除了天岳先進(jìn),其他碳化硅襯底廠商天科合達(dá)已與英飛凌簽約,合作制備8英寸襯底;三安光電則與意法半導(dǎo)體結(jié)盟共建8英寸碳化硅外延、芯片合資代工廠;中電化合物與韓國Power Master簽訂了8英寸碳化硅材料長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
 
5G、新能源汽車、光伏風(fēng)電、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,帶動(dòng)了市場(chǎng)對(duì)碳化硅的需求。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計(jì),第三代半導(dǎo)體包括SiC與GaN,整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)景,能進(jìn)一步提升電動(dòng)汽車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化,將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元,年成長(zhǎng)41.4%。
 
TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)??赏_(dá)53.3億美元。主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及再生能源,電動(dòng)汽車產(chǎn)值可達(dá)39.8億美元、CAGR約38%;再生能源達(dá)4.1億美元、CAGR約19%。 
 
來源:全球半導(dǎo)體觀察
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