7月26-28日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”將于西安召開。中電化合物受邀將參加論壇，并現(xiàn)場帶來導(dǎo)電型高純度α-SiC粉（純度 >99.999%）、碳化硅晶體、碳化硅襯底片、碳化硅外延片和氮化鎵外延片產(chǎn)品。
中電化合物半導(dǎo)體有限公司（簡稱“中電化合物”）是一家致力于研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料的高科技企業(yè)，成立于2019年11月，注冊資本4.7億元人民幣。
中電化合物主要聚焦在大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現(xiàn)代化生產(chǎn)車間，面向國內(nèi)外市場供應(yīng)商業(yè)化4-6英寸SiC和GaN材料，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于電動汽車、光伏、儲能、柔性電網(wǎng)、5G基站等領(lǐng)域。公司擁有優(yōu)秀的管理團(tuán)隊和技術(shù)團(tuán)隊，人才結(jié)構(gòu)合理，竭誠為客戶提供有競爭力的解決方案。
主營產(chǎn)品
公司主營產(chǎn)品：導(dǎo)電型高純度α-SiC粉（純度 >99.999%）、碳化硅晶體、碳化硅襯底片、碳化硅外延片和氮化鎵外延片。
導(dǎo)電型高純度α-SiC粉
純度 >99.999%
碳化硅晶錠
碳化硅襯底片
碳化硅外延片
氮化鎵外延片
碳化硅外延片產(chǎn)品規(guī)格
CASICON 2023·西安論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織籌辦。論壇將圍繞光電子器件與功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、測試評價及應(yīng)用等主題，邀請產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，追蹤最新技術(shù)進(jìn)展，分享前沿研究成果，攜手促進(jìn)國內(nèi)功率與光電半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展。
組織機(jī)構(gòu)
指導(dǎo)單位：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：
西安交通大學(xué)
極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（m.jycsgw.cn）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
協(xié)辦支持：
西安電子科技大學(xué)
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會
全國半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)
名譽主席：侯 洵
大會主席：云 峰
副主席：張進(jìn)成 李世瑋 楊銀堂
程序委員會：
康俊勇、楊旭、王軍喜、劉斌、陳鵬、寧靜、許晟瑞、王瑋、郭輝、潘堯波、丁國華、李哲洋、王東、李強(qiáng)、黃森、馬淑芳、康香寧、趙璐冰
主題方向
·碳化硅功率器件設(shè)計與制造
·氮化鎵功率器件設(shè)計與制造
·超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)
·超高壓器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新及先進(jìn)制造工藝
·高頻驅(qū)動芯片技術(shù)
·功率模塊熱管理與可靠性
·基于寬禁帶器件的高頻大功率模組技術(shù)
·800V電驅(qū)/電控系統(tǒng)技術(shù)進(jìn)展與功率電子應(yīng)用
·車用功率半導(dǎo)體及模塊可靠性要求及認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
·基于寬禁帶半導(dǎo)體的新能源及儲能應(yīng)用
·光電子器件技術(shù)新發(fā)展、新動向
·紫外LED發(fā)光及探測技術(shù)
·VCSEL 器件設(shè)計及應(yīng)用
·半導(dǎo)體激光器技術(shù)
·…………
會議日程
時間：2023年7月26-28日
地點：西安斯瑞特國際酒店
議程：(具體報告陸續(xù)更新中)
報告前瞻
備注：目前報告主題不分先后，僅供參考！
》開幕大會主旨報告
寬禁帶半導(dǎo)體射頻和功率器件技術(shù)新進(jìn)展
張進(jìn)成--西安電子科技大學(xué)副校長、教授
碳化硅功率模塊設(shè)計及其在儲能應(yīng)用中的機(jī)會及挑戰(zhàn)
丁國華--蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司董事長
高功率三維芯片堆疊熱管理新思路
李世瑋--香港科技大學(xué)（廣州）系統(tǒng)樞紐院長，智能制造學(xué)域講座教授
寬禁帶器件應(yīng)用與集成化研究進(jìn)展
楊旭--西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院副院長、教授
工程師碳化硅器件在有源電力濾波器的應(yīng)用實踐
王森--西安愛科賽博電氣股份有限公司/蘇州愛科賽博電源技術(shù)有限公司 總工程師
》平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件研究進(jìn)展
宋慶文--西安電子科技大學(xué)教授、西電蕪湖研究院副院長
碳化硅MOSFET芯片設(shè)計及發(fā)展趨勢
楊承晉--深圳森國科半導(dǎo)體科技有限公司董事長
硅基GaN器件驅(qū)動電路設(shè)計與挑戰(zhàn)
明鑫--電子科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、成都矽氮科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼CTO
SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展
黃潤華--中電科五十五所
面前低成本碳化硅功率器件用的大尺寸SiC 單晶技術(shù)
朱納新--西安華合德新材料科技有限公司董事長
高動態(tài)穩(wěn)定性氮化鎵功率器件
魏進(jìn)--北京大學(xué)集成電路學(xué)院助理教授
SiC基微型核電池的研究
尉國棟--陜西科技大學(xué)教授
智能化高頻高壓氮化鎵驅(qū)動技術(shù)研究進(jìn)展
劉天奇--萊特葳芯半導(dǎo)體（無錫）有限公司 CEO /澳門大學(xué)高級工程師
高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考
呂元杰--中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所重點實驗室副主任
氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究
孫汝軍--西安電子科技大學(xué)副教授
GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進(jìn)展
張連--中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員
低功函數(shù)凹槽陽極結(jié)構(gòu)GaN SBD研究
張濤--西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院副教授
面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)
霍曉青--中國電子科技集團(tuán)第四十六研究所高級工程師
Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成
黃森--中科院微電子研究所研究員
碳化硅外延技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢
李哲洋--懷柔實驗室北京智慧能源研究院，資深技術(shù)專家，國家重大科技專項副總師
金剛石場效應(yīng)管和低阻歐姆接觸研究
張金風(fēng)--西安電子科技大學(xué)教授
低功函數(shù)柵極增強(qiáng)型氫終端單晶金剛石場效應(yīng)晶體管研究
王瑋--西安交通大學(xué)副教授
GaN光電子器件的物理建模與制備研究
張勇輝--河北工業(yè)大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師，天津賽米卡爾科技有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人
藍(lán)寶石基GaN材料及功率器件進(jìn)展
程斌--江蘇芯港半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理
600V 超結(jié)MOSFET器件研究
李樸--西安衛(wèi)光科技有限公司器件研究中心工程師
》平行論壇2：光電子器件及應(yīng)用
高性能石墨烯/寬禁帶半導(dǎo)體新型雜化異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外探測器研究
陳鵬--南京大學(xué)教授
Highly Spatial Resolved Optical Characterization of GaN-based Light Emitter using SNOM
李虞鋒--西安交通大學(xué)研究員
溫度量測傳感器在半導(dǎo)體芯片制程中的應(yīng)用
康利軍--西安和其光電科技股份有限公司 常務(wù)副總
AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究
許福軍--北京大學(xué)副教授，北京中博芯半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理
寬禁帶氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究
張洪良--廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院 教授
金剛石場效應(yīng)晶體管制備及其深紫外光電探測研究
徐明升--山東大學(xué)微電子學(xué)院副研究員
基于ε-Ga2O3的=日盲紫外探測器件研究
裴艷麗--中山大學(xué)教授
大功率GaN基藍(lán)光激光器研究進(jìn)展
梁 鋒--中科院半導(dǎo)體所青年研究員
低維材料的非線性光學(xué)特性及超快光纖激光技術(shù)研究
李曉輝--陜西師范大學(xué)研究員
可回收光催化劑的結(jié)構(gòu)調(diào)控與催化性能研究
王維佳--西北工業(yè)大學(xué)副教授
面向光電子異質(zhì)集成的微轉(zhuǎn)印技術(shù)
王蘊達(dá)--香港科技大學(xué)（廣州）副教授
襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究
許晟瑞--西安電子科技大學(xué)教授
面向氮化鎵同質(zhì)外延功率/光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
劉強(qiáng)--東莞中鎵半導(dǎo)體科技有限公司研發(fā)處處長
寬禁帶氮化物外延材料及集成器件技術(shù)
寧靜--西安電子科技大學(xué)教授
氧化鎵材料生長與陣列探測器研究
劉增--南京郵電大學(xué)，集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)，副教授
基于Micro-LED的未來照明、顯示與通信技術(shù)
田振寰--西安交通大學(xué)副教授
以激光圖形化技術(shù)實現(xiàn)全彩微型LED顯示器量子點顏色轉(zhuǎn)換層
成元捷--香港科技大學(xué)博士后研究助理
面向快速滅菌的深紫外LED封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)化推廣
邱幸--深圳市優(yōu)威芯電子科技有限公司 CEO
金剛石光電探測
TBD
AlGaN基深紫外LED局域化光電性能研究
陳荔--中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所助理研究員
氧化鎵光電探測器研究進(jìn)展
廈門大學(xué)
基于大面積自組裝hBN納米片薄膜的超低暗電流深紫外光電探測器
張啟凡--西安交通大學(xué)
基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究
王逸飛--西安電子科技大學(xué)
GaN-基微米柱腔中的位錯分布對激光模式的調(diào)制作用研究
李玉銀--南京大學(xué)
......持續(xù)更新中
擬參與單位：
西安交通大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、中興通訊、中電化合物、瀚強(qiáng)科技、山東天岳、科友半導(dǎo)體、國星光電、長電科技、中電科十三所、中電科五十五所、茂睿芯、昂瑞微、華杰智通、ULVAC、承芯半導(dǎo)體、順絡(luò)電子、唯捷創(chuàng)芯、中芯聚源、旭創(chuàng)科技、海信集團(tuán)、北京大學(xué)，廈門大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所、烽火通信、南京大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院微電子所、光訊科技、亨通光電、長飛光纖、華為、海思、高意半導(dǎo)體、鍇威特、基本半導(dǎo)體、昂納信息、芯聚能、中電科四十六所、陜西科技大學(xué)、西安郵電大學(xué)、德科立、芯思杰、浙江大學(xué)、三環(huán)集團(tuán)、仕佳光子、肖特科技、奇芯光電、中鎵半導(dǎo)體、日立、蘇州晶湛、源杰半導(dǎo)體、匯信特、百識電子、云南鍺業(yè)、三安集成、敏芯半導(dǎo)體、上海陽安、永鼎股份、億源通、飛博康、盈峰光通信、迅特通信、意法半導(dǎo)體、中博芯、中國信通院、西安理工大學(xué)、太原理工大學(xué)、西安愛科賽博、特銳德、?？松娫?、山西浙大新材料與化工研究院……
活動參與：
注冊費2600元，7月15日前注冊報名2300元（含會議資料袋，7月26日歡迎晚宴+27日自助午餐、晚餐）。企業(yè)展位預(yù)定中，請具體請咨詢。
報告及論文發(fā)表聯(lián)系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
參會及商務(wù)合作：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
在線報名：
會議酒店
名稱：西安斯瑞特國際酒店 （原曲江國際飯店）
地址：陜西省西安市雁塔區(qū)西影路46號
協(xié)議價格：大/ 雙 床房 含雙早 450元/晚
預(yù)訂聯(lián)系：（ 預(yù)訂時說明參加半導(dǎo)體會議）
聯(lián)系人：王君濤
手機(jī)：18792736973
郵箱：634741306@qq.com
備注：會議酒店房間即將售罄，請盡早預(yù)定酒店！
