近日,晶盛機電在互動平臺表示,公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù),公司通過自有籽晶經(jīng)過多輪擴徑,成功生長出8英寸N型碳化硅晶體,解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均,晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。公司建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,通過持續(xù)加強技術(shù)創(chuàng)新和工藝積累,加快碳化硅襯底材料的發(fā)展進程。
近日,晶盛機電在互動平臺表示,公司已掌握行業(yè)領先的8英寸碳化硅襯底工藝和技術(shù),公司通過自有籽晶經(jīng)過多輪擴徑,成功生長出8英寸N型碳化硅晶體,解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均,晶體開裂、氣相原料分布等難點問題。公司建設了6-8英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,通過持續(xù)加強技術(shù)創(chuàng)新和工藝積累,加快碳化硅襯底材料的發(fā)展進程。