7月31日，天岳先進(688234.SH)在投資者互動平臺表示，碳化硅晶體的生長方法主要有物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學(xué)氣相沉積法、液相法等。

其中，PVT法是目前規(guī)?；蓟杈w生長方法。而液相SiC長晶技術(shù)具有多個優(yōu)勢，包括晶體質(zhì)量高、成本低等，近年來受到高度關(guān)注。目前液相法尚未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。

公司是國內(nèi)最早從事碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，具備技術(shù)領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)化能力。在碳化硅長晶方面，公司具有全自主的核心技術(shù)，實現(xiàn)了從2英寸到8英寸完全自主擴徑，從基礎(chǔ)原理到技術(shù)、工藝的深入積累。

公司是國際上少數(shù)幾個自主掌握碳化硅襯底制備核心關(guān)鍵技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)的企業(yè)之一，特別是具備突出的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

公司近年來研發(fā)投入較大，研發(fā)與規(guī)?；a(chǎn)形成良好的正循環(huán)積累，一方面公司工程化試驗數(shù)據(jù)為技術(shù)和良率的持續(xù)改進提供了關(guān)鍵支持，也是產(chǎn)品質(zhì)量領(lǐng)先的關(guān)鍵因素；另一方面，碳化硅襯底制備具有較高的技術(shù)壁壘，同時技術(shù)發(fā)展日新月異，這都有助于提高襯底質(zhì)量、降低襯底成本、推動碳化硅半導(dǎo)體材料和技術(shù)的加快滲透應(yīng)用。公司在前瞻性技術(shù)發(fā)展方向做了全方位布局。