近日，中瓷電子在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，國聯(lián)萬眾的產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，氮化鎵通信基站射頻芯片主要客戶為安譜隆等射頻器件廠商，應(yīng)用于5G通信基站建設(shè)；碳化硅功率模塊主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，目前已與比亞迪、智旋等重要客戶簽訂供貨協(xié)議并供貨。

今年6月21日，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司擬向中國電科十三所發(fā)行股份購買其持有的河北博威集成電路有限公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債，擬向中國電科十三所、數(shù)字之光智慧科技集團(tuán)有限公司、北京智芯互聯(lián)半導(dǎo)體科技有限公司、中電科投資控股有限公司、北京首都科技發(fā)展集團(tuán)有限公司、北京順義科技創(chuàng)新集團(tuán)有限公司、中電科（天津）創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）發(fā)行股份購買其合計(jì)持有的北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 94.6029%股權(quán)，并向不超過35名符合條件的特定對(duì)象發(fā)行股份募集配套資金。

活動(dòng)中，中瓷電子表示，本次重組的國聯(lián)萬眾、博威公司、芯片資產(chǎn)組共同組成了在建或達(dá)產(chǎn)的氮化鎵通信基站射頻芯片及器件、碳化硅功率模塊的相關(guān)研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、銷售等方面均可獨(dú)立運(yùn)行的完整產(chǎn)業(yè)鏈，可以為客戶提供更成熟的芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等服務(wù)，具備強(qiáng)大的服務(wù)能力和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

據(jù)介紹，國聯(lián)萬眾主營(yíng)業(yè)務(wù)為氮化鎵通信基站射頻芯片和氮化鎵通信基站射頻芯片、碳化硅功率模塊等。

其中，氮化鎵射頻芯片業(yè)務(wù)方面，國聯(lián)萬眾目前具有氮化鎵射頻芯片的設(shè)計(jì)能力，但尚未建成專業(yè)化生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品經(jīng)國聯(lián)萬眾設(shè)計(jì)后主要委托氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債代工生產(chǎn)，并由國聯(lián)萬眾對(duì)外銷售。

碳化硅功率模塊業(yè)務(wù)方面，國聯(lián)萬眾現(xiàn)有的碳化硅功率模塊包括650V、1,200V和1,700V等系列產(chǎn)品，主要應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源、新能源逆變器等領(lǐng)域，未來擬攻關(guān)高壓碳化硅功率模塊領(lǐng)域，進(jìn)一步對(duì)高壓碳化硅功率芯片（自用）和模塊相關(guān)的刻蝕技術(shù)、氧化工藝、減薄技術(shù)、封裝技術(shù)等方面進(jìn)行深入研發(fā)，搶占行業(yè)技術(shù)高地，在智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等高壓、超高壓領(lǐng)域搶占市場(chǎng)份額，實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT功率模塊的部分替代。

目前國聯(lián)萬眾正在進(jìn)行芯片制造及封裝測(cè)試專業(yè)化生產(chǎn)線建設(shè)，目前已完成廠房建設(shè)、第一階段的凈化工程裝修和主體設(shè)備安裝、調(diào)試。國聯(lián)萬眾在預(yù)測(cè)期即將形成氮化鎵通信基站射頻芯片及器件、碳化硅功率模塊的相關(guān)研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、銷售等方面均能獨(dú)立運(yùn)行的完整產(chǎn)業(yè)鏈，以及經(jīng)客戶認(rèn)證的銷售渠道等眾多核心環(huán)節(jié)資產(chǎn)及資源。

同時(shí)，國聯(lián)萬眾未來擬重點(diǎn)攻關(guān)碳化硅功率模塊領(lǐng)域，進(jìn)一步對(duì)碳化硅功率芯片（自用）和模塊相關(guān)的刻蝕技術(shù)、氧化工藝、減薄技術(shù)、封裝技術(shù)等方面進(jìn)行深入研發(fā)，搶占行業(yè)技術(shù)高地，在智能電網(wǎng)、動(dòng)力機(jī)車、軌道交通等高壓、超高壓領(lǐng)域搶占市場(chǎng)份額，實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT功率模塊的部分替代。