新科技時(shí)代背景下，人工智能、能源環(huán)保、自動(dòng)駕駛等需求驅(qū)動(dòng)下，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。

當(dāng)前，能源技術(shù)革命從電力高端裝備的發(fā)展逐步向由材料革命的發(fā)展來帶動(dòng)和引領(lǐng)，第三代半導(dǎo)體有望掀起綠色經(jīng)濟(jì)革命，助力以汽車電子、光儲(chǔ)、風(fēng)電為代表的新能源產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)電源等領(lǐng)域高效電能轉(zhuǎn)換。其中，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，因其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。有望成為未來最被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。特別是在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中襯底材料是產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)，外延材料是器件制造的關(guān)鍵，也是產(chǎn)業(yè)鏈主要價(jià)值所在。碳化硅襯底的技術(shù)壁壘最高，碳化硅襯底生產(chǎn)難度最高。目前碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化仍面臨一些技術(shù)難題，需要進(jìn)行深入研究和探索。

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)研究是一個(gè)復(fù)雜且具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，需要多方面的合作。為了形成“產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制，突破共性技術(shù)難題，提升我國第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)的制備技術(shù)及智能制造能力，加強(qiáng)合作，推動(dòng)碳化硅材料的應(yīng)用拓展和商業(yè)化進(jìn)程。

2023年8月18日下午將開啟主題為“碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)”的線上直播——強(qiáng)芯沙龍 | 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍研討會(huì)，邀請(qǐng)到產(chǎn)業(yè)鏈上下游研究機(jī)構(gòu)專家、廠商代表及業(yè)界同仁等共同深入研討，共同探討破局之道，誠摯邀請(qǐng)您參與。

本次直播邀請(qǐng)到來自牛津儀器、浙大杭州科創(chuàng)中心、中電科半導(dǎo)體材料有限公司的實(shí)力派代表專家嘉賓坐鎮(zhèn)直播間，分享大尺寸碳化硅單晶生長、襯底材料技術(shù)、等離子拋光技術(shù)等熱點(diǎn)技術(shù)最新進(jìn)展動(dòng)態(tài)與趨勢。

碳化硅襯底材料的制備包括原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、研磨拋光等環(huán)節(jié)，仍有諸多技術(shù)難點(diǎn)待突破，直播還將圍繞8英寸技術(shù)難點(diǎn)與產(chǎn)業(yè)化、國產(chǎn)化裝備、車規(guī)級(jí)器件應(yīng)用需求等熱點(diǎn)話題展開互動(dòng)探討。

[嘉賓簡介]

主持人：趙璐冰博士--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

報(bào)告嘉賓：韓學(xué)峰--浙大杭州科創(chuàng)中心

報(bào)告主題：基于數(shù)值模擬的大尺寸碳化硅單晶生長研究

韓學(xué)峰，博士，研究員，浙大杭州科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者計(jì)劃”入選者，2022年浙江省海外高層次人才引進(jìn)計(jì)劃入選者。長期從事大尺寸碳化硅與單晶硅的模擬仿真與生長技術(shù)研究。浙江省科技廳“尖兵”研發(fā)攻關(guān)計(jì)劃項(xiàng)目參與單位負(fù)責(zé)人，杭州市領(lǐng)軍型創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)核心成員，主持國家自然科學(xué)基金青年項(xiàng)目和企業(yè)橫向項(xiàng)目。發(fā)表SCI論文19篇，其中第一作者及通訊作者10篇，長期受邀擔(dān)任Journal of Crystal Growth、Japanese Journal of Applied Physics、Crystal Research and Technology、Crystals、CrystEngComm等SCI期刊審稿人，并擔(dān)任Crystals期刊客座編輯。

報(bào)告嘉賓：馬康夫--中電科半導(dǎo)體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家/山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理

報(bào)告主題：碳化硅襯底材料技術(shù)及應(yīng)用淺析

馬康夫，博士，高級(jí)工程師，現(xiàn)任中電科半導(dǎo)體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家，山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理。從事SiC材料研發(fā)多年，承擔(dān)及參與省部級(jí)項(xiàng)目10余項(xiàng)。獲山西省“三晉英才-青年優(yōu)秀人才”稱號(hào)，獲中國電子科技集團(tuán)公司科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)，三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。在國內(nèi)外發(fā)表相關(guān)研究論文10余篇，申請(qǐng)專利10余項(xiàng)。

報(bào)告嘉賓：黃承揚(yáng)博士--牛津儀器等離子技術(shù)部制程技術(shù)與業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理

報(bào)告主題：等離子拋光技術(shù)--碳化硅的綠色成長加速器

黃承揚(yáng)，博士，畢業(yè)于清華大學(xué)電機(jī)學(xué)院，發(fā)表過18篇論文； 擁有19項(xiàng)專利，曾經(jīng)任職于工業(yè)技術(shù)研究院，并于2011年加入牛津儀器，擁有超過20年化合物半導(dǎo)體的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。主要專長在于microLED、III-V光電半導(dǎo)體制程，與GaN/SiC高功率器件。

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張女士（Vivi-zhang），13681329411， zhangww@casmita.com

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