圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)截圖

 

中芯國(guó)際專利指出，目前在半導(dǎo)體器件的的制造工藝中，經(jīng)常會(huì)在具有疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件表面上形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)，通常使用化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝平整凸凹不平的表面?；瘜W(xué)機(jī)械研磨亦稱為化學(xué)機(jī)械拋光，是目前機(jī)械加工中唯一可以實(shí)現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨工藝中，一般是把芯片放在旋轉(zhuǎn)的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒(例如SiO2顆粒)的研磨液(slurry)，在化學(xué)腐蝕與磨削移除的交互作用下進(jìn)行平坦化。在化學(xué)機(jī)械研磨工藝之后，研磨液中的顆粒成為缺陷微粒存在于晶圓表面，因此必須從晶圓表面完全除去才能保持半導(dǎo)體器件的可靠性和生產(chǎn)線的清潔度。鑒于此，實(shí)有必要提出一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果，從而提高產(chǎn)品的良率。

 

專利摘要顯示，一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清洗所述晶圓表面，清洗后的所述晶圓表面呈正電性，晶圓表面殘留物具有負(fù)電性；調(diào)節(jié)所述晶圓表面電性或所述殘留物的電性，使所述晶圓表面和所述殘留物的呈相同電性；對(duì)所述晶圓表面進(jìn)行干燥，去除所述殘留物。根據(jù)同性相斥的原理，經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)后所述殘留物與所述晶圓表面電性相同，因此所述殘留物不會(huì)粘附在所述晶圓的表面，而是懸浮在晶圓表面的液膜內(nèi)。在后續(xù)的干燥過(guò)程中，懸浮在液膜內(nèi)的殘留物會(huì)隨著液膜一起被去除，提高了產(chǎn)品良率。

 

此外，中芯國(guó)際先前公布2023年二季度財(cái)報(bào)，公司該季度銷售收入環(huán)比增長(zhǎng)6.7%至15.6億美元，毛利率下降0.5個(gè)百分點(diǎn)到20.3%。12英寸產(chǎn)能需求相對(duì)飽滿，8英寸客戶需求疲弱，產(chǎn)能利用率低于12英寸，但仍好于業(yè)界平均水平。

 

中芯國(guó)際預(yù)計(jì)三季度銷售收入環(huán)比增長(zhǎng)3%到5%，毛利率在18%到20%之間。三季度出貨量預(yù)計(jì)將繼續(xù)上升，而同時(shí)，折舊也將持續(xù)增加。下半年公司銷售收入預(yù)計(jì)好于上半年。公司將繼續(xù)做好技術(shù)研發(fā)、平臺(tái)開(kāi)發(fā)工作，把新產(chǎn)品快速驗(yàn)證出來(lái)，把配套產(chǎn)能最快速度安排好，為下一輪的增長(zhǎng)周期做好準(zhǔn)備。

 

中芯國(guó)際的主營(yíng)業(yè)務(wù)為晶圓代工，從國(guó)內(nèi)布局來(lái)看，目前中芯國(guó)際在上海、北京、天津、深圳建有三座8英寸晶圓廠和四座12英寸晶圓廠；在上海、北京、天津各有一座12英寸晶圓廠在建中。另?yè)?jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在2023年第一季全球晶圓代工市場(chǎng)中，中芯國(guó)際以5.3%的市占率位居全球第五。