依托于光刻機(jī)的光罩（Litho）工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝，光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場(chǎng)截止型IGBT一般采用9-10層光罩進(jìn)行加工。

安建早于2019年即在國(guó)內(nèi)頂尖8-inch晶圓廠成功開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場(chǎng)截止IGBT技術(shù)，是國(guó)內(nèi)第一家量產(chǎn)第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家，并完全擁有相關(guān)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

近期，安建將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉(zhuǎn)移至國(guó)內(nèi)頂級(jí)12-inch IGBT加工平臺(tái)，也是國(guó)內(nèi)首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國(guó)產(chǎn)廠家。此項(xiàng)技術(shù)突破表征了安建在國(guó)內(nèi)IGBT芯片及加工工藝設(shè)計(jì)方面的雙重技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

下圖為安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓。

光罩層數(shù)的減少并未對(duì)器件性能、堅(jiān)固性及可靠性造成任何影響。下圖為采用上述晶圓封裝的第七代1200V-25A PIM模塊，型號(hào)為JG1A25P120DG2（pin-to-pin兼容國(guó)外進(jìn)口的第七代EasyPIM-1B™模塊）。相應(yīng)的模塊產(chǎn)品已通過(guò)工業(yè)變頻及伺服驅(qū)動(dòng)等客戶測(cè)試認(rèn)證。

相應(yīng)模塊在某知名客戶4kW高頻電機(jī)變頻器（載頻16kHz）完全通過(guò)各類極限工況測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下：

驅(qū)動(dòng)波形：

相間短路波形：

1s急減速測(cè)試波形：

安建科技有限公司是一家專門從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)及銷售的高科技公司， 擁有由香港科技大學(xué)教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導(dǎo)體研究的美國(guó)電子電氣工程師學(xué)會(huì)院士（IEEE Fellow）所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團(tuán)隊(duì)。公司現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線，且研發(fā)的功率芯片得到了國(guó)內(nèi)多家應(yīng)用客戶的認(rèn)可，目前已經(jīng)在眾多領(lǐng)域穩(wěn)定運(yùn)行。