據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。

重點(diǎn)將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導(dǎo)體上，計(jì)劃在日本國內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。

意在抓住不斷擴(kuò)大的需求，帶動下一個增長。與此前用作半導(dǎo)體材料的硅相比，碳化硅在高硬度和耐久性方面表現(xiàn)突出，能夠承受高電壓和高電流。