據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，紹興中芯集成電路制造股份有限公司取得一項名為“半導(dǎo)體器件及其形成方法“，授權(quán)公告號CN111740717B，申請日期為2020年2月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。在形成圖形化的光阻層之前，還在電極材料層上形成掩模材料層，并且在對掩模材料層執(zhí)行圖形化工藝時，僅將光阻層中的電極圖形復(fù)制至掩模材料層的上部分中，從而在去除光阻層的過程中，可避免用于去除光阻層的剝離液侵蝕電極材料層。以及，在圖形化的掩模層的掩模下，結(jié)合裁剪工藝進一步圖形化電極材料層，以構(gòu)成電極層，進而可以更為精確的控制電極材料層的消耗量，有利于保障所形成的電極層的性能。

（來源：金融界）