據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法“，公開(kāi)號(hào)CN117612942A，申請(qǐng)日期為2023年11月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種Trench MOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法，包括：提供一襯底，包括若干接觸孔區(qū)域；在所述襯底上形成若干柵極溝槽、柵極多晶硅層、第一接觸孔柱、體區(qū)離子注入?yún)^(qū)、源區(qū)離子注入?yún)^(qū)、柵極氧化層以及層間介質(zhì)層；以所述層間介質(zhì)層為掩膜，刻蝕所述第一接觸孔柱以及其底部的部分所述體區(qū)離子注入?yún)^(qū)，直至第一深度，并刻蝕部分所述柵極多晶硅層直至第一深度，以在所述接觸孔區(qū)域與部分所述柵極多晶硅層中形成接觸孔。本發(fā)明提供的技術(shù)方案進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸。

（來(lái)源：金融界）