據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制備方法“，公開號(hào)CN117747642A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法，實(shí)現(xiàn)了第一電極層與外延層的歐姆接觸，減小了歐姆接觸的接觸電阻率，有助于減小半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，進(jìn)而降低半導(dǎo)體器件的功率損耗。半導(dǎo)體器件可以包括外延層、摻雜層、介質(zhì)層和第一電極層。其中，外延層和介質(zhì)層層疊設(shè)置。半導(dǎo)體器件設(shè)有第一凹槽，摻雜層和第一電極層的一部分可以層疊設(shè)置于第一凹槽內(nèi)部。