天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT”專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117766576A。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，具體說是一種帶有超結(jié)結(jié)構(gòu)的屏蔽柵IGBT。它包括第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底的正面設(shè)置有若干個元胞，所述元胞中至少有一個深溝槽，深溝槽內(nèi)有屏蔽柵結(jié)構(gòu)，深溝槽的兩側(cè)有離子注入?yún)^(qū)及接觸孔。其特點(diǎn)是，所述深溝槽下方有超結(jié)結(jié)構(gòu)電荷平衡區(qū)，超結(jié)結(jié)構(gòu)電荷平衡區(qū)含有兩層及兩層以上第一導(dǎo)電類型的結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電類型的結(jié)構(gòu)，相連兩層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電類型不同，且最內(nèi)層為第二導(dǎo)電類型的結(jié)構(gòu)，其包圍在深溝槽外側(cè)。相連兩層結(jié)構(gòu)間，外側(cè)的結(jié)構(gòu)包圍在內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)外側(cè)，且外側(cè)的結(jié)構(gòu)頂部不超過內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)頂部。該IGBT的可靠性高，開關(guān)損耗低。