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芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接

日期:2024-04-12 閱讀:398
核心提示:據(jù)芯能半導(dǎo)體官方消息,4月11日,芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行。據(jù)悉,本次交接項

 據(jù)芯能半導(dǎo)體官方消息,4月11日,芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行。據(jù)悉,本次交接項目為一棟三層半結(jié)構(gòu),約13000m²

早在2023年5月,芯能半導(dǎo)體就與合肥市政府簽署項目合作協(xié)議,將在合肥安巢經(jīng)開區(qū)建設(shè)10條IGBT、5條SiC MOS自動化生產(chǎn)線,產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、太陽能和家電等行業(yè)。

據(jù)透露,簽約項目采用先進工藝,專注于大功率模塊封測,項目整體建成達產(chǎn)后,預(yù)計可實現(xiàn)年產(chǎn)480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊,年營收約15億元。

芯能半導(dǎo)體成立于2013年9月,是一家聚焦IGBT芯片、高壓柵極驅(qū)動芯片以及智能功率模塊的研發(fā)、生產(chǎn)、應(yīng)用和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)和國家“專精特新”小巨人企業(yè),目前已量產(chǎn)國際第七代(MPT技術(shù))IGBT,第六代IGBT芯片國內(nèi)出貨量領(lǐng)先。

芯能半導(dǎo)體總部位于深圳,除了合肥落地的模塊封測項目外,在布局方面,芯能半導(dǎo)體在浙江義烏建有大功率車規(guī)級功率模塊制造基地,深圳、上海、蘇州設(shè)有研發(fā)中心,并在深圳、上海、杭州等地建立了銷售辦事處。

融資方面,2023年6月,芯能半導(dǎo)體完成C++輪投資,本輪由國電投、中信建投資本、杭廣熠熠和正弦電氣共同參與。

此外,2022年5月消息,小米產(chǎn)投部獨家參與了芯能半導(dǎo)體的C+輪融資,投資金額近億元,融資資金將主要用于加強研發(fā)投入,尤其是新能源和新能源汽車類產(chǎn)品的開發(fā)。

產(chǎn)品方面,芯能半導(dǎo)體去年7月發(fā)布了IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產(chǎn)品。該產(chǎn)品內(nèi)部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與優(yōu)化的SOI工藝6通道柵極驅(qū)動芯片。

作為緊湊的1200V等級封裝,這款SiC MOSFET IPM使用簡便,針對SiC定制優(yōu)化驅(qū)動部分,有效減小開關(guān)振蕩。此外,它采用緊湊式封裝,得益于使用具備很高熱導(dǎo)率的DBC基板,具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級能力,具有出色的功率密度、可靠性和性能?;谠摦a(chǎn)品,芯能聯(lián)合芯能的IDH推出基于這顆IPM的汽車空調(diào)的參考應(yīng)用方案。

此外,今年4月,芯能半導(dǎo)體也新推出一款1200V 600A C2模塊,該模塊采用芯能自主研發(fā)的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發(fā)射極控制技術(shù)的FRD芯片,封裝兼容62mm。該產(chǎn)品具有超低的飽和壓降、超低開關(guān)損耗的特點,內(nèi)置全電流正溫度系數(shù)續(xù)流二極管,利于多并聯(lián)使用,主要應(yīng)用在光伏、儲能、電機控制器等領(lǐng)域。

該C2模塊由芯能半導(dǎo)體自建的自動化封裝制造專線生產(chǎn),可以實現(xiàn)模塊的常溫、高溫動靜態(tài)測試篩選,以及器件參數(shù)的分檔,滿足模塊并聯(lián)使用和高可靠性的要求。

據(jù)透露,芯能半導(dǎo)體的專門生產(chǎn)C2模塊的專線,全制程、全工序生產(chǎn)作業(yè)配備有先進的工藝自動化上下料系統(tǒng), 以實現(xiàn)高效的生產(chǎn)和一致的產(chǎn)品質(zhì)量。

來源:芯能半導(dǎo)體、NE時代半導(dǎo)體

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