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長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利,有效提高評估結果準確度

日期:2024-06-04 閱讀:242
核心提示:天眼查知識產權信息顯示,蘇州長光華芯光電技術股份有限公司申請一項名為高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法,公開號CN

天眼查知識產權信息顯示,蘇州長光華芯光電技術股份有限公司申請一項名為“高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法“,公開號CN202410534321.3,申請日期為2024年4月。

專利摘要顯示,本申請公開了高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法,其中高功率半導體激光芯片性能評估方法包括:在待測芯片N面電極上設置窗口;使待測芯片保持工作狀態(tài),待測芯片量子阱有源區(qū)產生自發(fā)輻射;使自發(fā)輻射成像于待測芯片外部;在待測芯片外部通過光譜儀獲取自發(fā)輻射的光譜,得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱溫度的二維分布;在待測芯片外部通過CCD相機獲取自發(fā)輻射成像的圖像,得到待測芯片在工作狀態(tài)下的量子阱內載流子的二維分布。本申請公開的高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法,能夠獲得分辨率自由調節(jié)的工作狀態(tài)下待測芯片量子阱內溫度與載流子濃度的分布,操作方便,簡單易行,有效提高評估結果準確度。

(來源:金融界)

 

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