天眼查顯示，英諾賽科（珠海）科技有限公司近日取得一項(xiàng)名為“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)為CN106449375B，授權(quán)公告日為2024年7月5日，申請(qǐng)日為2016年12月26日。

本發(fā)明涉及一種含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法。該半導(dǎo)體器件包括襯底、設(shè)在該襯底上部的籽晶層、設(shè)在該籽晶層上部的緩沖層以及設(shè)在該緩沖層上部的Ⅲ族氮化物外延層。本發(fā)明通過(guò)在氮化鋁中摻雜一定濃度的硅，在硅襯底上中生長(zhǎng)包含硅摻雜氮化鋁層的籽晶層，硅摻雜氮化鋁與硅原子的晶格失配數(shù)比較接近，硅摻雜氮化鋁層在硅基底上更好的成長(zhǎng)，可以有效的阻止硅由襯底擴(kuò)散進(jìn)入氮化鎵外延層，減少了硅與氮化鎵的反應(yīng)，改善了氮化鎵或氮鎵鋁/氮化鎵薄膜的品質(zhì)，提高了半導(dǎo)體器件的工作性能。