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通用半導(dǎo)體:SiC晶錠激光剝離全球首片最薄(130um)晶圓片下線

日期:2024-07-12 閱讀:607
核心提示:江蘇通用半導(dǎo)體有限公司今年7月10日用自研設(shè)備(碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備)成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄sic晶圓片。

 7月12日,江蘇通用半導(dǎo)體有限公司(原:河南通用智能裝備有限公司)今年7月10日用自研設(shè)備(碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備)成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄sic晶圓片。

通用半導(dǎo)體自設(shè)立以來,一直在高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域深耕,并專注于激光隱切設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,勵(lì)志成為全球領(lǐng)先的激光微納加工裝備制造商。

通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī);2022年成功推出國內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備(針對3D Memory);2023年成功研發(fā)國內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線;2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備(針對3D HBM)。

通用半導(dǎo)體表示,隨著公司激光隱切設(shè)備產(chǎn)品覆蓋度持續(xù)提升,市場應(yīng)用規(guī)模的不斷擴(kuò)大,且公司持續(xù)保持高強(qiáng)度的研發(fā)投入,迭代升級各產(chǎn)品系列,滿足客戶在技術(shù)節(jié)點(diǎn)更新迭代過程中對高產(chǎn)能及更嚴(yán)格的技術(shù)性能指標(biāo)的需求。

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