面對不斷升級的氣候危機和急劇增長的全球能源需求，世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標而攜手努力，致力于減輕環(huán)境影響，實現(xiàn)可持續(xù)未來。其中的關鍵在于推進電氣化轉型以減少碳排放，并積極利用可再生能源。為加速達成這個全球轉型目標，安森美推出了最新一代碳化硅技術平臺EliteSiC M3e MOSFET，并計劃將在2030年前推出多代新產(chǎn)品。 

安森美電源方案事業(yè)群總裁Simon Keeton表示：“電氣化的未來依賴于先進的功率半導體，而電源創(chuàng)新對于實現(xiàn)全球電氣化和阻止氣候變化至關重要。如果電源技術沒有重大創(chuàng)新，現(xiàn)有的基礎設施將無法滿足全球日益增長的智能化和電氣化出行需求。我們正在積極推動技術創(chuàng)新，計劃到2030年大幅提升碳化硅技術的功率密度，以滿足日益增長的能源需求，并助力全球電氣化轉型。” 

在這一過程中，EliteSiC M3e MOSFET將發(fā)揮關鍵作用，以更低的千瓦成本實現(xiàn)下一代電氣系統(tǒng)的性能和可靠性，從而加速普及電氣化并強化實施效果。由于能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，該平臺可有效降低電源轉換損耗，這對于電動汽車動力系統(tǒng)、直流快速充電樁、太陽能逆變器和儲能方案等廣泛的汽車和工業(yè)應用至關重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 將促進數(shù)據(jù)中心向更高效、更高功率轉變，以滿足可持續(xù)人工智能引擎指數(shù)級增長的能源需求。 

可信賴平臺實現(xiàn)效率代際飛躍

憑借安森美獨特的設計和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且經(jīng)過實際驗證的平面架構上顯著降低了導通損耗和開關損耗。與前幾代產(chǎn)品相比，該平臺能夠將導通損耗降低30%，并將關斷損耗降低多達50%1。通過延長SiC平面MOSFET的壽命并利用EliteSiC M3e 技術實現(xiàn)出色的性能，安森美可以確保該平臺的堅固性和穩(wěn)定性，使其成為關鍵電氣化應用的首選技術。 

EliteSiC M3e MOSFET 還提供超低導通電阻(RSP)和抗短路能力，這對于占據(jù)SiC市場主導地位的主驅逆變器應用來說至關重要。采用安森美先進的分立和功率模塊封裝，1200V M3e 裸片與之前的EliteSiC技術相比，能夠提供更大的相電流，使同等尺寸主驅逆變器的輸出功率提升約20%。換句話說，在保持輸出功率不變的情況下，新設計所需的SiC材料可以減少20%，成本更低，并且能夠實現(xiàn)更小、更輕、更可靠的系統(tǒng)設計。 

此外，安森美還提供更廣泛的智能電源技術，包括柵極驅動器、DC-DC轉換器、電子保險絲等，并均可與EliteSiC M3e平臺配合使用。通過這些安森美優(yōu)化和協(xié)同設計的功率開關、驅動器和控制器的端到端一體化技術組合，可實現(xiàn)多項先進特性集成，并降低整體系統(tǒng)成本。 

加速未來電源技術發(fā)展

未來十年，全球能源需求預計會急劇增加，因此提高半導體的功率密度變得至關重要。安森美正積極遵循其碳化硅技術發(fā)展藍圖，從裸片架構到新型封裝技術全面引領行業(yè)創(chuàng)新，以此持續(xù)滿足行業(yè)對更高功率密度的需求。 

每一代新的碳化硅技術都會優(yōu)化單元結構，以在更小的面積上高效傳輸更大的電流，從而提高功率密度。結合公司自有的先進封裝技術，安森美能最大化提升性能并減小封裝尺寸。通過將摩爾定律引入碳化硅技術的開發(fā)，安森美可以并行研發(fā)多代產(chǎn)品，從而加速實現(xiàn)其發(fā)展路線圖，以在2030年前加速推出多款EliteSiC新產(chǎn)品。 

“憑借數(shù)十年來在功率半導體領域積累的深厚經(jīng)驗，我們不斷突破工程和制造能力的邊界，以滿足全球日益增長的能源需求。“安森美電源方案事業(yè)群技術營銷高級總監(jiān)Mrinal Das表示，”碳化硅的材料、器件和封裝技術之間存在很強的相互依賴性。對這些關鍵環(huán)節(jié)的完全掌控，使安森美能夠更好地把握設計和制造過程，從而更快地推出新一代產(chǎn)品。” 

(來源：安森美)