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宏微科技:自研化合物半導(dǎo)體已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段

日期:2024-07-22 閱讀:579
核心提示:宏微科技自研第七代 IGBT 芯片,平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),特性可對(duì)標(biāo)進(jìn)口七代芯片,實(shí)現(xiàn)全面替代;自研化合物半導(dǎo)體已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段,特性做到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。

 近日,宏微科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)稱,目前,自研第七代 IGBT 芯片,平臺(tái)已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),特性可對(duì)標(biāo)進(jìn)口七代芯片,實(shí)現(xiàn)全面替代;自研化合物半導(dǎo)體已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段,特性做到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。未來(lái)芯片技術(shù)也有更高功率密度、更高電壓、細(xì)分應(yīng)用領(lǐng)域的布局,確保公司產(chǎn)品的持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力與增長(zhǎng)力。

對(duì)于光伏逆變器與 IGBT 價(jià)格變化,宏微科技指出,2023 年下半年受宏觀環(huán)境復(fù)雜性影響,行業(yè)終端需求持續(xù)低迷,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)在產(chǎn)品周期、產(chǎn)能周期、庫(kù)存周期三重周期的疊加情形下, 半導(dǎo)體行業(yè)有所下滑,IGBT市場(chǎng)的下游需求降溫。

根據(jù)國(guó)家海關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),國(guó)內(nèi)逆變器出口連續(xù)三個(gè)月環(huán)比增長(zhǎng),2024 年 5 月逆變器出口接近去年同期水平。從公司在手訂單看,訂單量環(huán)比提升,有望迎來(lái)利潤(rùn)的修復(fù)改善。2024年下半年,隨著宏觀經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇以及新產(chǎn)品持續(xù)推向市場(chǎng),IGBT的市場(chǎng)價(jià)格有望回歸到合理水平。

數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,隨著高性能計(jì)算領(lǐng)域的快速成長(zhǎng),用電需求增大,電力來(lái)源需要靠新能源發(fā)電來(lái)支撐,將給公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)帶來(lái)動(dòng)力。公司已有成熟產(chǎn)品批量應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。未來(lái)公司也將在大型 GPU高性能電源管理等領(lǐng)域積極探索布局,助推以新質(zhì)生產(chǎn)力為代表的高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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