天眼查顯示，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年7月23日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118380411A。

本發(fā)明提供一種溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第一溝槽和自所述第一溝槽的底部向下延伸的第二溝槽，第一溝槽用于填充柵極，第二溝槽用于填充介質(zhì)層，所述第一溝槽包括縮口區(qū)段，縮口區(qū)段從頂部至底部開口寬度逐漸減小，如此，可使得相鄰柵極溝槽之間通過離子注入所形成的發(fā)射極區(qū)的面積增大，從而可以解決現(xiàn)有技術(shù)中因發(fā)射極區(qū)面積過小而影響閾值電壓正常開啟的問題。