天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，華羿微電子股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)、制作方法及應(yīng)用“，公開號 CN202410874826.4，申請日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)、制作方法及應(yīng)用，其外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)包括：以高濃度摻雜成型在襯底上的第一外延層，且該第一外延層阻擋襯底擴(kuò)散；以負(fù)斜率階梯式摻雜濃度經(jīng)離子注入成型在所述第一外延層上的第二外延層。其中，高濃度摻雜為砷摻雜，且第一外延層的 Rdson 占比小于 MOSFET 功率器件總 Rdson 的 5%。本發(fā)明采用砷成型第一外延層和精準(zhǔn)的負(fù)斜率階梯摻雜濃度成型的第二外延層，使得功率 MOSFET 在 BV 增加的同時(shí)降低導(dǎo)通電阻，提升 DCDC 能量轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)降低功率器件的制造成本，且公開的負(fù)斜率階梯式摻雜濃度的第二外延層制作方法與功率器件制造工藝兼容，能夠應(yīng)用于溝槽型和屏蔽柵型 MOSFET 功率器件當(dāng)中。