天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司取得一項(xiàng)名為“降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法“，授權(quán)公告號(hào)CN111430464B，申請(qǐng)日期為2020年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種降低開(kāi)關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法，它包括第一導(dǎo)電類型襯底、第一導(dǎo)電類型外延層、溝槽、第二導(dǎo)電類型體區(qū)、第一導(dǎo)電類型源區(qū)、絕緣介質(zhì)層、柵極金屬、源極金屬、控制柵多晶硅、柵氧化層、分離柵多晶硅、介質(zhì)隔離腔與漏極金屬，所述分離柵多晶硅的體積小于控制柵多晶硅的體積，且所述分離柵多晶硅與控制柵多晶硅之間的介質(zhì)隔離腔的厚度大于柵氧化層的厚度。本發(fā)明降低了開(kāi)關(guān)損耗、解決了IGSS漏電過(guò)大的問(wèn)題，本發(fā)明能提高溝槽底部的拐角處的耐壓能力并可精確調(diào)節(jié)輸入電容Ciss和輸出電容Coss的大小。本發(fā)明的制造工藝均與已廣泛使用的半導(dǎo)體制造技術(shù)工藝兼容，利于推廣和批量生產(chǎn)。