天眼查顯示，無錫利普思半導(dǎo)體有限公司“一種功率模塊結(jié)構(gòu)”專利公布，申請(qǐng)公布日為2024年8月9日，申請(qǐng)公布號(hào)為CN118471913A。 

本發(fā)明涉及一種功率模塊結(jié)構(gòu)，功率模塊包括外殼、基板、底板、芯片和填充材料。外殼為中空結(jié)構(gòu)，包括柵體，柵體兩側(cè)連接于外殼內(nèi)，上端與外殼間隙配合。底板固定設(shè)置于外殼下端，基板設(shè)置于底板上，芯片電氣連接于基板上端，填充材料填充于中空結(jié)構(gòu)內(nèi)。其中，柵體的位置不與芯片對(duì)應(yīng)，柵體下端伸入填充材料中，將一部分填充材料分隔于柵體兩側(cè)，減小柵體兩側(cè)區(qū)域內(nèi)填充材料的體積，填充材料固化后，減小了柵體附近區(qū)域應(yīng)力集中的大小，改善了應(yīng)力分布狀態(tài)，降低了填充材料內(nèi)產(chǎn)生裂紋以及裂紋擴(kuò)散至芯片附近的可能性，提高了功率模塊的使用壽命。