天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法“，公開(kāi)號(hào) CN202410623592.6，申請(qǐng)日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法。涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括如下步驟：S100，在碳化硅襯底上外延生長(zhǎng)形成碳化硅漂移層；S200，在碳化硅漂移層源區(qū)形成 N+區(qū)；S300，在碳化硅漂移層形成 PW 區(qū)；S400，在 PW 區(qū)形成 Spacer 層，通過(guò)離子注入形成 NP 區(qū)；S500，在 PW 區(qū)形成 PP 區(qū)；S600，在碳化硅漂移層形成 JFET 區(qū)；S700，在碳化硅漂移層頂面形成柵氧層；S800，在柵氧層上通過(guò)沉積多晶硅形成 Poly 層，作為柵電極引出；S900，在 Poly 層上通過(guò)沉積形成與 Poly 層和 NP 區(qū)相接觸的隔離介質(zhì)層，隔絕柵極和源級(jí)，避免兩處短接；本發(fā)明降低器件電阻，提高器件通流能力，降低了器件發(fā)生雙極退化的可能性。