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智芯微“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布

日期:2024-09-10 閱讀:257
核心提示:天眼查顯示,北京智芯微電子科技有限公司光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法專利公布,申請公布日為2024年8月16日,申請公布號為C

天眼查顯示,北京智芯微電子科技有限公司“光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法”專利公布,申請公布日為2024年8月16日,申請公布號為CN118502201A。 

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,提供一種光刻膠均勻覆蓋晶圓表面的仿真方法,包括:在仿真工具中輸入沉積光刻膠和硬掩膜的命令,在晶圓表面形成均勻厚度的第一光刻膠和第一掩膜版;利用仿真工具中的photo命令,在第一掩膜版表面形成具有預(yù)設(shè)圖形窗口的第二光刻膠第二掩膜版;輸入刻蝕命令,在第二掩膜版的保護(hù)下對第一掩膜版進(jìn)行刻蝕,在第一掩膜版形成刻蝕窗口;輸入刻蝕命令,在第一掩膜版的保護(hù)下沿第一掩膜版的刻蝕窗口對第一光刻膠進(jìn)行刻蝕;輸入刻蝕命令,刻蝕掉第一光刻膠表面剩余的第一掩膜版,得到均勻覆蓋晶圓表面的光刻膠。本發(fā)明解決了仿真工具中photo命令下涂覆光刻膠的高度不能隨晶圓表面的高度變化而變化的問題。

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