天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，上海芯導(dǎo)電子科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法“，公開號(hào) CN202410535561.5 ，申請(qǐng)日期為 2024 年 4 月。

專利摘要顯示，一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)，該器件結(jié)構(gòu)的第一溝槽和第二溝槽構(gòu)成了 T 型溝槽，溝槽底部長(zhǎng)度減少，對(duì)應(yīng)減少了柵極承壓范圍，提高了柵極可靠性，位于第一溝槽底部的阱區(qū)內(nèi)的第一摻雜區(qū)替代了電流拓展層，改善整體 P 型和 N 型注入濃度和能量的調(diào)控范圍，位于所述第二溝槽底部的漂移區(qū)內(nèi)的第二摻雜區(qū)相當(dāng)于屏蔽層，該屏蔽層的寬度較小，在器件關(guān)閉狀態(tài)下，該第二摻雜區(qū)可以和襯底進(jìn)行耗盡，減小了溝槽柵底部耐壓，平衡了電場(chǎng)分布，減少了導(dǎo)通電阻。