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長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

日期:2024-10-17 閱讀:255
核心提示:天眼查顯示,江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)為CN112582350B,授權(quán)公告日

天眼查顯示,江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司近日取得一項(xiàng)名為“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)為CN112582350B,授權(quán)公告日為2024年9月24日,申請(qǐng)日為2019年9月29日。

本發(fā)明涉及的一種腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,所述腔體式封裝結(jié)構(gòu)包括熱沉,所述熱沉上設(shè)有下層芯片及金屬柱,所述金屬柱上設(shè)有金屬隔層板,所述金屬隔層板上設(shè)有與所述金屬隔層板下的所述金屬柱數(shù)量匹配且位置對(duì)應(yīng)的上層芯片。通過(guò)上述設(shè)置,可解決目前腔體式封裝結(jié)構(gòu)需要進(jìn)一步高密度、集成化排布設(shè)計(jì)的需要。

 

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