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武漢新芯取得清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備專利,去除晶圓邊緣殘留物避免影響后續(xù)工藝

日期:2024-10-17 閱讀:264
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,武漢新芯集成電路股份有限公司取得一項名為清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備的專利,授權(quán)公告號 CN 221832892

 國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,武漢新芯集成電路股份有限公司取得一項名為“清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備”的專利,授權(quán)公告號 CN 221832892 U,申請日期為 2024 年 7 月。

專利摘要顯示,本實用新型提供了一種清洗裝置及半導(dǎo)體制造設(shè)備,所述清洗裝置用于清洗晶圓,所述清洗裝置包括:可旋轉(zhuǎn)的支撐結(jié)構(gòu),設(shè)置于所述晶圓下方,所述支撐結(jié)構(gòu)的外周具有第一環(huán)形槽,所述晶圓的邊緣放置于所述第一環(huán)形槽中;可旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)動結(jié)構(gòu),設(shè)置于所述晶圓外周,所述轉(zhuǎn)動結(jié)構(gòu)的外周具有第二環(huán)形槽,所述晶圓的邊緣放置于所述第二環(huán)形槽中,所述轉(zhuǎn)動結(jié)構(gòu)和/或所述支撐結(jié)構(gòu)能夠帶動所述晶圓旋轉(zhuǎn);所述第一環(huán)形槽和/或所述第二環(huán)形槽的內(nèi)壁設(shè)置有第一噴口,通過所述第一噴口能夠向所述晶圓邊緣噴出第一清洗液。本實用新型的技術(shù)方案使得能夠去除晶圓邊緣的殘留物,避免影響后續(xù)工藝。

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