亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

蘇州敏芯微電子申請力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利,解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

日期:2024-10-28 閱讀:251
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法的專利,公開號 CN 118817

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司申請一項(xiàng)名為“力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法”的專利,公開號 CN 118817125 A,申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示,本申請公開了一種力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法,涉及力傳感器技術(shù)領(lǐng)域,用于解決現(xiàn)有力傳感器的力傳遞靈敏度低的問題。本申請?zhí)峁┑牧鞲衅鞯姆庋b結(jié)構(gòu)包括襯底,其第一表面設(shè)有間隔排布的第一凹槽和第二凹槽,第二凹槽的槽底設(shè)有凸臺(tái);器件結(jié)構(gòu)支撐于第一表面并包括可動(dòng)質(zhì)量塊和用于固定可動(dòng)質(zhì)量塊的錨點(diǎn),可動(dòng)質(zhì)量塊的一部分懸空于第一凹槽的開口端,另一部分固定支撐于第一表面,可動(dòng)質(zhì)量塊構(gòu)成第一極板,錨點(diǎn)固設(shè)于凸臺(tái)上;ASIC芯片與所述器件結(jié)構(gòu)背對所述襯底的一側(cè)相鍵合,且其朝向器件結(jié)構(gòu)的側(cè)表面設(shè)有第二極板第二極板與第極板相對且間隔設(shè)置以構(gòu)成可變電容;其中,第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底設(shè)有第三凹槽。

 

打賞
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部