國家知識產(chǎn)權局信息顯示，聯(lián)華電子股份有限公司申請一項名為“半導體結構以及其形成方法”的專利，公開號CN 118900619 A，申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種半導體結構以及其形成方法，其中該半導體結構包含多個MTJ(Magnetic tunnel junctions，磁性隧穿結) 元件，從一俯視圖來看，多個MTJ元件排列成一陣列，至少一第二接觸結構，位于MTJ元件所排成的陣列之中，至少一第一掩模層，覆蓋于各MTJ元件的一頂面與兩側壁，其中從一剖面圖來看，第一掩模層的一斷面?zhèn)缺谂c第二接觸結構下方的一第二金屬層的一側壁切齊。