國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司取得一項(xiàng)名為“一種半導(dǎo)體器件”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 221960980 U，申請(qǐng)日期為2023年12月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件，其特征在于：襯底，襯底具有第一導(dǎo)電類型；第一層，第一層位于襯底上方；第一區(qū)域，第一區(qū)域位于第一層上方，并且；第二區(qū)域，第二區(qū)域位于第一區(qū)域上方；第三區(qū)域，第三區(qū)域位于第一層上方、以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域的一側(cè)；漏極區(qū)域，漏極區(qū)域位于第二區(qū)域中；源極區(qū)域，源極區(qū)域位于第三區(qū)域中；柵極隔離體，柵極隔離體嵌入在第二區(qū)域中，并且，柵極隔離體位于源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間；第一柵極，第一柵極位于第二區(qū)域和第三區(qū)域上方、以及源極區(qū)域與柵極隔離體之間；以及第二柵極，第二柵極包括在柵極隔離體上方的第一部分。