2024年11月12日，天科合達官微宣布，公司“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。

該擴產(chǎn)項目旨在打造行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的智能化生產(chǎn)線，量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。該項目全面投產(chǎn)后，公司的產(chǎn)能將得到顯著提升，進一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領(lǐng)先地位。楊建總經(jīng)理在致辭中表示：

“公司核心產(chǎn)品為6-8英寸碳化硅襯底，技術(shù)參數(shù)指標與國際龍頭企業(yè)相當，產(chǎn)品質(zhì)量達到國際先進水平，已向國內(nèi)外多家企業(yè)及科研機構(gòu)批量供應(yīng)，為國產(chǎn)碳化硅材料在功率器件、微波射頻器件等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。同時，公司的產(chǎn)品暢銷至日本及歐美在內(nèi)的20多個國家和地區(qū)，是國內(nèi)少數(shù)能夠進入國際知名企業(yè)的高端技術(shù)產(chǎn)品。”天科合達表示，隨著北京二期項目的啟動，標志著天科合達開啟了嶄新的發(fā)展篇章，同時為區(qū)域經(jīng)濟的蓬勃發(fā)展注入了新的動力。該項目不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)進步和產(chǎn)能擴張，也能通過優(yōu)化生產(chǎn)流程和提高效率，有效降低成本。

來源：天科合達官微