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日本政府為電裝-富士電機(jī)聯(lián)合的SiC功率半導(dǎo)體計(jì)劃投資705億日元

日期:2024-12-19 閱讀:471
核心提示:提供705億日元的補(bǔ)貼,用于日本公司共同投資和生產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。

 日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省已批準(zhǔn)為汽車(chē)部件供應(yīng)商DENSO Corp和電力電子制造商Fuji Electric Co Ltd提交的總額為2116億日元(14.1億美元)的計(jì)劃提供705億日元的補(bǔ)貼,用于日本公司共同投資和生產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。

為了應(yīng)對(duì)電氣化趨勢(shì),電裝公司開(kāi)展了SiC技術(shù)開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,旨在提高從晶圓和器件芯片到模塊和逆變器的所有產(chǎn)品的質(zhì)量和效率。同時(shí),富士電機(jī)已經(jīng)積累了廣泛的能力,從開(kāi)發(fā)能夠提高電力電子設(shè)備效率和實(shí)現(xiàn)更緊湊設(shè)計(jì)的SiC功率半導(dǎo)體芯片,到相關(guān)模塊的批量生產(chǎn)。

根據(jù)批準(zhǔn)的計(jì)劃,兩家公司將結(jié)合各自的汽車(chē)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)能力,共同擴(kuò)大在日本全國(guó)高效、穩(wěn)定供應(yīng) SiC 功率半導(dǎo)體的能力。生產(chǎn)基地將包括電裝的大安工廠(SiC晶片)和哥田工廠(SiC外延片)以及富士電機(jī)的松本工廠(SiC外延片和SiC功率半導(dǎo)體)。

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