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浙江睿熙申請(qǐng) VCSEL 集成晶圓及其制造方法專(zhuān)利,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)別集成

日期:2024-12-19 閱讀:259
核心提示:國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江睿熙科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專(zhuān)利,公開(kāi)號(hào) CN 119134035 A,申請(qǐng)日

 國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江睿熙科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“VCSEL 集成晶圓及其制造方法”的專(zhuān)利,公開(kāi)號(hào) CN 119134035 A,申請(qǐng)日期為 2023 年 7 月。

專(zhuān)利摘要顯示,公開(kāi)了一種 VCSEL 集成晶圓及其制造方法,其中,所述 VCSEL 集成晶圓包括:至少一 VCSEL 芯片、與所述 VCSEL 芯片相間隔的至少一光電二極管芯片,以及,在晶圓級(jí)別上集成于所述 VCSEL 芯片的熱電制冷結(jié)構(gòu),每一 VCSEL 芯片包括至少一 VCSEL 發(fā)光點(diǎn);所述 VCSEL 芯片和所述光電二極管芯片共用襯底層;所述熱電制冷結(jié)構(gòu)包括多個(gè)熱電偶對(duì),每一熱電偶對(duì)包括相互電連接的 P 型結(jié)構(gòu)和 N 型結(jié)構(gòu)。

 

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