國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海天岳半導(dǎo)體材料有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體”的專利，公開號(hào) CN 119177489 A，申請(qǐng)日期為 2023年6月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體，屬于SiC生產(chǎn)加工技術(shù)領(lǐng)域。SiC襯底包括第一表層、第二表層和中間層；同一軸線上，在所述第一表層中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面處，Smax1代表第一表層中徑向應(yīng)力絕對(duì)值最大值，Smax2代表中間層中徑向應(yīng)力絕對(duì)值最大值，Smax3代表第二表層中徑向應(yīng)力絕對(duì)值最大值，△S1＝Smax2Smax1，△S2＝Smax2Smax3，15MPa≤△S1≤10MPa，15MPa≤△S2≤10MPa。上述第一表層、第二表層和中間層中SiC襯底中的徑向應(yīng)力均較低，且各個(gè)層之間的應(yīng)力分布均勻性好，能夠提高SiC襯底的質(zhì)量，擴(kuò)大該SiC襯底的使用范圍，有利于下游外延片和晶體的生產(chǎn)加工。