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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報(bào)告正式立項(xiàng)

大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展

南京大學(xué) | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管

向單芯片的GaN器件進(jìn)軍

芯片上的突破！清華制成世界上柵極長(zhǎng)度最小晶體管

天津大學(xué)馬凱學(xué)團(tuán)隊(duì)在5G/6G毫米波技術(shù)取得新進(jìn)展

上海有機(jī)所在阻轉(zhuǎn)異構(gòu)類(lèi)有機(jī)半導(dǎo)體材料與器件研究中取得進(jìn)展

國(guó)家納米科學(xué)中心在自旋分子存儲(chǔ)器方面取得新進(jìn)展

蘇州醫(yī)工所董建飛課題組在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的學(xué)習(xí)控制方面取得研究進(jìn)展

南科大潘權(quán)團(tuán)隊(duì)在高速通信芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得系列新成果

上海光機(jī)所提出可見(jiàn)激光材料暗化問(wèn)題解決新方案

世界上最大的超6英寸GaN籽晶問(wèn)世！

長(zhǎng)光所在量子陀螺專(zhuān)用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進(jìn)展

中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進(jìn)展

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1nm柵極長(zhǎng)度的晶體管

瀾起科技：整個(gè)DDR5相關(guān)芯片價(jià)值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來(lái)的可能性

世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功

清華大學(xué)交叉信息研究院段路明課題組實(shí)現(xiàn)量子存儲(chǔ)器增強(qiáng)的非局域圖態(tài)制備

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在自供能多色顯示研究方面取得進(jìn)展

中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進(jìn)展

北大物理學(xué)院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運(yùn)機(jī)制

基于SiC逆變器的電動(dòng)汽車(chē)永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)研究

SK海力士開(kāi)發(fā)出下一代智能內(nèi)存芯片技術(shù)PIM

中國(guó)科大潘建偉院士團(tuán)隊(duì)等與海外團(tuán)隊(duì)合作《Science》發(fā)文報(bào)道首次觀測(cè)到費(fèi)米超流中的熵波臨界發(fā)散

中科院蘇州納米所團(tuán)隊(duì)在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠(yuǎn)程外延機(jī)理研究獲新進(jìn)展

碳化硅激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化中電科二所取得突破性進(jìn)展

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