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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

中國科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

名古屋大學(xué)天野浩團隊Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

Nano Lett.∣高效載流子倍增實現(xiàn)紫外光電探測器EQE突破

西安交大劉明教授團隊在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

晶合集成申請半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

沙特KAUST李曉航團隊：無刻蝕損傷的microLED像素制造技術(shù)

呂堅院士團隊 l 3D打印莫來石增強的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進展

國內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

我國高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

技術(shù)進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

科學(xué)家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

中國科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

厚度達100 mm! 碳化硅單晶生長取得新進展

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

九峰山實驗室+華中科大聯(lián)合攻關(guān)，一種新型光刻膠技術(shù)完成初步工藝驗證

廈門大學(xué)康俊勇教授團隊：人工智能無損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長

一種IGBT結(jié)溫預(yù)測的方法

北京大學(xué)申請p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實現(xiàn)電流密度的增加

中國科學(xué)院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

廈門大學(xué)于大全教授團隊與華為團隊合作在先進封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

西交大科研人員在hBN真空紫外探測器領(lǐng)域取得重要進展

光谷實驗室攻克量子點短波紅外成像新技術(shù)

哈工大鄭州研究院在CVD法制備純凈分散納米金剛石技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

中科大孫海定教授Adv. Mater.: 構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

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