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中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

哈爾濱工業(yè)大學(xué)在碳化硅集成光量子糾纏器件領(lǐng)域取得新突破

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來(lái)石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

石墨烯芯片制造領(lǐng)域，重要里程碑→

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

工藝打通！九峰山實(shí)驗(yàn)室全面啟動(dòng)碳化硅（SiC）工藝技術(shù)服務(wù)

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過(guò)技術(shù)鑒定

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案

簡(jiǎn)述激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

簡(jiǎn)述碳化硅襯底制備的重點(diǎn)與難點(diǎn)

中國(guó)科大首次實(shí)現(xiàn)基于碳化硅中硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)

國(guó)際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測(cè)研究方面取得突破

國(guó)內(nèi)首家！廈門(mén)大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

臺(tái)灣中山大學(xué)突破6英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)！

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

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