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基于新型
SiC
復合襯底的低成本MOSFET取得重要進展
評論 ?
2024-12-23 10:41
西湖大學工學院仇旻團隊研究進展 | 4H-
SiC
超透鏡:抑制高功率激光輻照的熱漂移效應
評論 ?
2024-12-05 08:53
利用
SiC
模塊進行電動壓縮機設計要點
評論 ?
2024-10-09 10:37
《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果
評論 ?
2024-08-28 14:32
江蘇通用半導體成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄
SiC
晶圓片
評論 ?
2024-07-12 17:36
廈門大學康俊勇教授團隊:人工智能無損表征技術,助力
SiC
晶體生長
評論 ?
2024-03-29 10:53
昆明理工大學在溶液法生長高純3C-
SiC
晶體研究方面取得進展
評論 ?
2024-01-26 17:37
山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展
金剛石
SiC
GaN
襯底
評論 ?
2024-01-04 09:28
4H-
SiC
中基面位錯滑移帶表征和外延傳播
4H
SiC
晶體缺陷
晶體生長
評論 ?
2024-01-02 15:38
SiC
主驅逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
評論 ?
2023-10-19 10:39
工藝打通!九峰山實驗室全面啟動碳化硅(
SiC
)工藝技術服務
評論 ?
2023-08-10 10:23
國內8英寸
SiC
傳來新進展!
評論 ?
2023-06-26 11:52
CASA發(fā)布《
SiC
MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術體系報告》
評論 ?
2023-05-26 13:44
第三代半導體
SiC
芯片關鍵裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
評論 ?
2023-03-28 18:11
簡述
SiC
碳化硅單晶的生長原理
評論 ?
2023-03-03 10:48
簡述高壓
SiC
MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望
評論 ?
2023-02-02 17:49
簡述選擇GaN或
SiC
器件的重點
評論 ?
2023-01-09 17:08
重要發(fā)現(xiàn)!3C-
SiC
有望PK單晶金剛石,成為高導熱材料的選擇
評論 ?
2022-12-14 20:16
SiC
工藝之質子注入缺陷抑制技術解決碳化硅層錯難題
評論 ?
2022-12-12 15:24
SiC
MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車
評論 ?
2022-12-05 15:58
簡述
SiC
MOSFET短路保護時間
評論 ?
2022-11-28 14:29
簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用
評論 ?
2022-11-23 15:18
基于
SiC
的電動汽車用純電驅動單元研究
評論 ?
2022-11-15 10:29
簡述
SiC
功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)
評論 ?
2022-11-04 16:51
溝槽型
SiC
MOSFET 工藝流程及
SiC
離子注入
評論 ?
2022-10-25 16:44
SiC
MOSFET特性分析及應用
評論 ?
2022-10-12 17:55
國際首臺基于自主6.5kV/400A
SiC
MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗
評論 ?
2022-10-11 17:39
山東大學與南砂晶圓團隊實現(xiàn)了高質量8英寸導電型4H-
SiC
單晶和襯底制備
山東大學
晶體材料
4HSiC
襯底
8英寸
評論 ?
2022-09-21 08:45
一種基于基板埋入技術的新型
SiC
功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計方法
評論 ?
2022-09-02 09:52
一種基于基板埋入技術的
SiC
功率模塊封裝及可靠性優(yōu)化設計
評論 ?
2022-08-26 14:20
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