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上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

天岳先進(jìn)榮膺“中國SiC襯底影響力企業(yè)”首位及“8英寸SiC先鋒”

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項目開工！

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正達(dá)半導(dǎo)體SiC襯底項目落戶浙江總投資12億元

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