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CASICON晶體大會(huì)前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測試及應(yīng)用研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

中新國際聯(lián)合研究院和微納芯材共建半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

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中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

南京大學(xué)—江蘇富樂德石英“半導(dǎo)體洗凈技術(shù)研究中心”簽約揭牌儀式

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開工

以小晶體帶動(dòng)大產(chǎn)業(yè)，濟(jì)南晶谷研究院打造具有核心競爭力的新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

自然科學(xué)基金委發(fā)布集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計(jì)劃2024年度項(xiàng)目指南最高1500萬元/項(xiàng)

武漢大學(xué)聯(lián)合中國科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

美國斥資110億美元推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大學(xué)王來利：碳化硅功率半導(dǎo)體器件與變換器封裝集成技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路研究

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護(hù)技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲：低損耗高耐壓Si基GaN雙向阻斷功率器件研究

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學(xué)魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學(xué)院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

CSPSD 2024成都前瞻 |南方科技大學(xué)化夢媛：Ga-O原子間勢函數(shù)及其應(yīng)用研究

CSPSD 2024成都前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院執(zhí)行副院長姚佳飛將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源研究院所長金銳受邀將出席“2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

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