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第四代半導(dǎo)體迎來(lái)新進(jìn)展相關(guān)A股公司搶抓“新風(fēng)口”

IFWS 2023│高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例

論文推介丨山東大學(xué) · Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

中山大學(xué)裴艷麗：基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

CASICON西安前瞻|?中山大學(xué)教授裴艷麗：基于-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

CASICON西安前瞻| 中山大學(xué)裴艷麗教授：基于ε-Ga2O3日盲紫外探測(cè)器件研究

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中科院半導(dǎo)體所張逸韻：基于MOCVD生長(zhǎng)的β-Ga2O3納米線晶體管及其日盲光電晶體管探測(cè)器研究

西安電子科技大學(xué)袁海東：β-Ga2O3/2D異質(zhì)結(jié)界面性能調(diào)控及其潛在應(yīng)用

南京大學(xué)況悅：κ-Ga2O3/In2O3 同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和界面彎曲

美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

中國(guó)電科十三所王元?jiǎng)偅焊咝阅?span id="hzr1zzr" class="highlight">Ga2O3，SBD功率器件研究

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