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捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時破碎

華海清科“用于晶圓加工的承載頭及化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備”專利公布

北方華創(chuàng)“一種晶圓位置檢測裝置及半導(dǎo)體設(shè)備”專利公布

英諾賽科起訴英飛凌專利侵權(quán)

杭州士蘭微電子取得半導(dǎo)體器件專利，控制了柵漏電容

九奕半導(dǎo)體設(shè)備取得光刻機(jī)送料機(jī)構(gòu)專利，使硅片涂布更均勻

中微公司發(fā)明專利再獲中國專利獎殊榮

北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

中芯微取得半導(dǎo)體生產(chǎn)制造用光刻機(jī)專利，可實現(xiàn)移動目的

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

北方華創(chuàng)“一種腔室清潔方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

天域半導(dǎo)體取得水平氣流SiC外延設(shè)備石英鐘罩內(nèi)壁清潔工具專利，能夠保證石英鐘罩的清潔效果符合爐膛反應(yīng)需求

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

成都士蘭半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應(yīng)

深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術(shù)問題

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

無錫錕芯半導(dǎo)體取得一種IGBT的驅(qū)動裝置專利，實現(xiàn)IGBT本體的快速裝拆

上海天岳申請一種三維方向應(yīng)力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質(zhì)量

安徽格恩半導(dǎo)體申請GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

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