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奕斯偉“定盤溝槽清潔裝置、清潔方法和研磨設(shè)備”專利公布

奕斯偉“晶圓倒角裝置和晶圓倒角方法”專利公布

泰科天潤(rùn)“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

晶合集成獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種半導(dǎo)體芯片的測(cè)試裝置”

三星收購(gòu)部分英特爾半導(dǎo)體專利權(quán)

馳芯半導(dǎo)體“一種用于UWB的定時(shí)恢復(fù)方法及裝置”專利獲授權(quán)

敏芯股份入選江蘇省國(guó)家專利產(chǎn)業(yè)化樣板企業(yè)培育庫(kù)

光谷這些高校、企業(yè)獲中國(guó)專利獎(jiǎng)

晶盛機(jī)電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統(tǒng)”

上海積塔半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利，提升開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)效率

北方華創(chuàng)“半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室”專利公布

專利公開(kāi) | 多家單位半導(dǎo)體激光器相關(guān)專利申請(qǐng)/授權(quán)公開(kāi)

甬矽電子獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體封裝方法和半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)”

晶合集成獲得發(fā)明專利授權(quán)：“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法”

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

中科飛測(cè)“轉(zhuǎn)換關(guān)系獲取方法、檢測(cè)方法和相關(guān)設(shè)備”專利公布

泰科天潤(rùn)“一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣州南砂晶圓申請(qǐng)用于PVT法生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

蘇州長(zhǎng)光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中科新源半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體芯片升降溫用微射流換熱裝置”專利公布

瀚天天成申請(qǐng)降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國(guó)際申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

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