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長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

新美光“襯底加熱體組件及化學(xué)氣相沉積設(shè)備”專利獲授權(quán)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

京東方“襯底基板、顯示基板以及光探測(cè)基板”專利獲授權(quán)

昂瑞微“一種芯片及其UserID檢測(cè)電路”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

和其光電“用于光纖傳感器封裝的高精密多維調(diào)節(jié)對(duì)位系統(tǒng)及方法”專利獲授權(quán)

長(zhǎng)電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

粵芯半導(dǎo)體“一種半導(dǎo)體器件中的互連金屬的沉積方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“功率模塊外殼”專利獲授權(quán)

憶芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

芯聚能 “功率模塊的封裝方法、裝置和功率模塊”專利獲授權(quán)

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

北方華創(chuàng)“一種半導(dǎo)體設(shè)備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法”專利獲授權(quán)

基本半導(dǎo)體“功率模塊”專利獲授權(quán)

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