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康美特龐凱敏：高可靠性碳化硅IGBT器件封裝材料 | IFWS&SSLCHINA2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項 SiC MOSFET測試與可靠性標準發(fā)布

飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

芯導科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結構及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

高可靠性高功率半導體器件IDM項目在宜興簽約總投資約30億元

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目產(chǎn)線通線

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學徐躍杭:金剛石半導體器件可靠性新機制

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學李俊宏：基于傅里葉乘法特性的高可靠性無半橋直流無刷電機驅(qū)動電路研究

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CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

天狼芯半導體上海車規(guī)級可靠性實驗中心正式啟用

華為公司申請功率器件專利，提高半導體器件的可靠性

中國科學院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

IFWS 2023│大連理工大學王德君：提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑

IFWS&SSLCHINA 2023│英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本

致能科技首發(fā)1200V 高可靠性氮化鎵器件平臺

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

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IQE和VisIC宣布合作開發(fā)車用高可靠性D模式GaN功率產(chǎn)品

納芯微：光伏增長勢頭強勁，芯片靈活性及可靠性要求提升

華域麥格納王飛：電驅(qū)動系統(tǒng)關鍵零部件可靠性全流程思考

五部門將推進車規(guī)級芯片等產(chǎn)品可靠性水平提升

工信部等五部門印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實施意見》

五部門發(fā)布《制造業(yè)可靠性提升實施意見》，機械、電子、汽車等行業(yè)

三安光電：公司碳化硅芯片應用于光伏、儲能、新能源汽車等可靠性要求高的領域

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

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