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中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級

西安奕斯偉材料申請用于外延設(shè)備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評第二次公示

天域半導(dǎo)體碳化硅外延項(xiàng)目即將試產(chǎn)

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長研究方向取得重要突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

8英寸碳化硅垂直腔外延設(shè)備為什么這么熱？

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

香港首個第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

科大立安中標(biāo)安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

CASICON晶體大會前瞻|中國電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

安徽晶隆年產(chǎn)630萬片含SiC外延材料項(xiàng)目封頂

安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目（生活服務(wù)設(shè)施區(qū)）全面封頂，8月將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮投產(chǎn)

總投資55億，晶隆半導(dǎo)體外延材料產(chǎn)業(yè)園EPC項(xiàng)目封頂

晶盛機(jī)電：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā)8英寸及12英寸常壓硅外延生長設(shè)備并實(shí)現(xiàn)銷售

CASICON晶體大會前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

科學(xué)家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法

總投資超14億元，麥斯克電子年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片項(xiàng)目封頂

能華半導(dǎo)體張家港制造中心（二期）項(xiàng)目動工，將新建6英寸GaN外延片產(chǎn)線

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

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