亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<input id="qmuqf"></input>

<u id="qmuqf"></u>

<noscript id="qmuqf"></noscript>

<u id="qmuqf"></u>

<u id="qmuqf"><li id="qmuqf"><table id="qmuqf"></table></li></u>

<u id="qmuqf"></u>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

北大物理學(xué)院量子材料科學(xué)中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質(zhì)外延出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

半導(dǎo)體所等在半導(dǎo)體材料“異構(gòu)外延”研究中獲進(jìn)展

國際首次，中科院院士在玻璃襯底上“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

玻璃襯底上首次“異質(zhì)外延”出準(zhǔn)單晶氮化鎵薄膜

第三代半導(dǎo)體廠商獲阿里關(guān)聯(lián)公司入股，擬擴(kuò)展6條外延片產(chǎn)線

蕪湖啟迪半導(dǎo)體簽署意向協(xié)議或在安徽投資SiC外延片項目

總投資6億！唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片項目開工

賽微電子：GaN外延材料一期產(chǎn)能為1萬片/年，已簽訂千萬級合同

河北發(fā)力第三代半導(dǎo)體！加快6英寸SiC/GaN外延量產(chǎn)化進(jìn)程

石家莊六大重點工程出爐，將加快6英寸碳化硅外延、氮化鎵外延、12英寸硅外延量產(chǎn)化進(jìn)程

河北發(fā)力第三代半導(dǎo)體！加快6英寸SiC/GaN外延量產(chǎn)化進(jìn)程

晶湛半導(dǎo)體陳宇超：應(yīng)用于功率器件的GaN外延片進(jìn)展

祝賀！納維科技總部大樓奠基，建成后年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈條核心：外延技術(shù)

半導(dǎo)體器件為什么需要“外延層”

突破：中欣晶圓 12 英寸第一枚外延片正式下線

中欣晶圓 12 英寸第一枚外延片正式下線

鄭州大學(xué)劉玉懷：金剛石襯底上六方相氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延

北京大學(xué)楊學(xué)林：硅襯底上氮化物大失配異質(zhì)外延生長

總投資255億元！深紫外LED外延/封裝等系列項目落戶寧波

解析碳化硅外延材料產(chǎn)業(yè)鏈

第8頁/共8頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<button id="ccegc"></button>