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金剛石膜取得大突破！

工信部：高級自動駕駛技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)新的重大突破

至芯半導(dǎo)體取得重大突破，推出高光效UV器件

國產(chǎn)半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，已通過量產(chǎn)驗(yàn)證！

電子科大國家工程技術(shù)研究中心在二維單相多鐵方向取得重大突破

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

中韓科研人員在新型半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域取得重大突破

重大突破！第三代半導(dǎo)體在寧加速布局

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得重大突破

國產(chǎn)8英寸SiC設(shè)備獲重大突破！

全面量產(chǎn)！合盛硅業(yè)半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目取得重大突破

三安光電：碳化硅襯底已批量銷售，汽車客戶合作獲重大突破

湖南三安：碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量銷售，汽車客戶合作取得重大突破

重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無缺陷最大直徑超過204毫米

中國電科46所氮化鋁單晶材料關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破

重大突破 | 國內(nèi)首款全自研中小容量19nm 2D NAND研制成功

南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

至芯半導(dǎo)體在日盲深紫外器件方面獲重大突破，單顆芯片發(fā)射功率創(chuàng)紀(jì)錄達(dá)到210mW

三安光電2021年?duì)I收首破百億，三安集成業(yè)務(wù)取得重大突破！

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重大突破！碳化硅量子比特刷新紀(jì)錄：量子態(tài)保持超5秒，信號增強(qiáng)萬倍

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重大突破！科學(xué)家發(fā)現(xiàn)“拱形”納米硅陽極可大大提高鋰離子電池容量

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