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鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進(jìn)展

杭州鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底技術(shù)突破，助力客戶實(shí)現(xiàn)2400V增強(qiáng)型晶體管

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

長光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權(quán)

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

鎵和半導(dǎo)體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

張道華院士：超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究

杭州鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在氧化鎵理論研究方面取得重要進(jìn)展

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

鎵仁半導(dǎo)體推出氧化鎵專用長晶設(shè)備

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

總投資8.97億！雅克科技擬建設(shè)球形硅微粉、球形氧化鋁項(xiàng)目

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破

廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料外延和深紫外探測應(yīng)用領(lǐng)域研究取得重要進(jìn)展

CSPSD 2024成都前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)周賢達(dá)：非晶氧化物半導(dǎo)體功率器件：理論極限和初步實(shí)現(xiàn)

6英寸氧化鎵單晶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

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